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介質(zhì)損耗測(cè)試儀操作特點(diǎn)

介質(zhì)損耗測(cè)試儀操作特點(diǎn)測(cè)量線(xiàn)路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成設(shè)CVT測(cè)試功能,可實(shí)現(xiàn)CVT的自激法測(cè)試,無(wú)需外置附件,一次測(cè)量C1,C2的電容和介損全部測(cè)出。

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2021-02-22
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詳細(xì)介紹

介質(zhì)損耗測(cè)試儀操作特點(diǎn)

特點(diǎn):

1、變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀采用復(fù)數(shù)電流法,測(cè)量電容、介質(zhì)損耗及其它參數(shù)。測(cè)試結(jié)果精度高,便于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)量。
2、儀器采用了變頻技術(shù)來(lái)消除現(xiàn)場(chǎng)50Hz工頻干擾,即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測(cè)得可靠的數(shù)據(jù)。
3、儀器采用大屏幕液晶顯示器,測(cè)試過(guò)程通過(guò)漢字菜單提示既直觀又便于操作。
4、儀器操作簡(jiǎn)便,測(cè)量過(guò)程由微處理器控制,只要選擇好合適的測(cè)量方式,數(shù)據(jù)的測(cè)量就可在微處理器控制下自動(dòng)完成。
5、一體化機(jī)型,內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源,便于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試,減少現(xiàn)場(chǎng)接線(xiàn)。
6、儀器測(cè)量準(zhǔn)確度高,可滿(mǎn)足油介損測(cè)量要求,因此只需配備標(biāo)準(zhǔn)油杯,和測(cè)試線(xiàn)即可實(shí)現(xiàn)油介損測(cè)量。
7、設(shè)CVT測(cè)試功能,可實(shí)現(xiàn)CVT的自激法測(cè)試,無(wú)需外置附件,一次測(cè)量C1,C2的電容和介損全部測(cè)出。
8、反接線(xiàn)測(cè)試采用ivddv技術(shù),消除了以往反接線(xiàn)數(shù)據(jù)不穩(wěn)定的現(xiàn)象。
9、具有反接線(xiàn)低壓屏蔽功能,在220kVCVT 母線(xiàn)接地情況下,對(duì)C11 可進(jìn)行不拆線(xiàn)10kV 反接線(xiàn)介損測(cè)量

介質(zhì)損耗測(cè)試儀操作特點(diǎn)

工作原理:

在交流電壓作用下,電介質(zhì)要消耗部分電能,這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí),電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ,Ψ的余角δ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角,δ的正切tgδ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來(lái)衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測(cè)量線(xiàn)路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路(Cn)和一被試回路(Cx)。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測(cè)量線(xiàn)路組成,被試回路由被試品和測(cè)量線(xiàn)路組成。測(cè)量線(xiàn)路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。通過(guò)測(cè)量電路分別測(cè)得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位等,再由單片機(jī)運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法,通過(guò)矢量運(yùn)算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。

儀器內(nèi)部已經(jīng)采用了抗干擾措施,保證在外電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量。

 

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